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来源：IPLiberator
这几天多篇文章爆出了“中芯国际涉军”，已被美国列入黑名单，深知信息搬运工的责任重大，秉着“不忘初心，牢记使命”的宗旨，外加周末有点自我安排的时间，所以也就有了本篇文章，另外作为模拟IC设计师，还是很有必要知道国内有哪些集成电路代工厂+工艺节点+工艺特征，毕竟我也是填过坑的人，项目指标来了首先需要确定的就是工艺，选择不当来回折腾也是难以避免，不废话上内容了。
1、中芯国际（SMIC）
序列
公司
工艺特征
1
中芯国际（SMIC）
先进逻辑技术
14nm
年第四季度进入量产，应用于5G、高性能计算、人工智能、物联网、消费电子及汽车电子等新兴领域。
成熟逻辑技术
28nm
年第四季度推出，28纳米技术包含传统的多晶硅（PolySiON）和后闸极的高介电常数金属闸极（HKMG）制程。28纳米工艺制程主要应用于智能手机、平板电脑、电视、机顶盒和互联网等移动计算及消费电子产品领域。核心Vcc(V)：0.9V。
40nm
40纳米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台，核心组件电压1.1V，涵盖三种不同阈值电压，以及输入/输出组件2.5V电压(超载3.3V，低载1.8V)以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了先进的浸入式光刻技术，应力技术，超浅结技术以及低介电常数介质。适用于场景广泛，如：手机基带及应用处理器，平板电脑多媒体应用处理器，数字电视，机顶盒，游戏及其他无线互联应用，正在研发的可工作在0.9v电压下的40纳米超低功耗产品更是为IoT应用场景量身打造。
65nm/55nm
65纳米/55纳米技术的工艺元件选择包含低漏电和超低功耗技术平台。此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入/输出电压为1.8V，2.5V和3.3V的元件，而形成一个弹性的制程设计平台。此技术的设计规则、规格及SPICE模型已完备。55纳米低漏电/超低功耗技术和65纳米低漏电技术重要的单元库已完备。主要面向高性能、低功耗的应用场景，如移动应用和无线应用。
90nm
中芯90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术，生产高性能的元器件。可为客户量身定做，达到各种设计要求，包括高速，低耗，混合信号，射频以及嵌入式和系统集成等方案；单元库，IP及输入/输出接口等可通过我司的合作伙伴获得；90纳米低漏电器件(1.2V)和90纳米低漏电器件(1.0V)；可满足多种应用产品如无线电话，数字电视，机顶盒，移动电视，个人多媒体产品，无线网络接入及个人计算机应用芯片等对低能耗，卓越性能及高集成度的要求。
0.13/0.11μm
和0.15微米器件的制程技术相比，0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上，性能提高约30%。与0.18微米制程技术比较，芯片面积更可缩小超过50%，而其性能也提高超过50%。中芯的0.13微米制程采用全铜制程技术。核心电压为1.2V以及输入/输出电压为2.5V或3.3V的组件。同时可提供0.13/0.11微米的单元库，内存编译器，输入输出接口和模拟IP，应用产品包括闪存控制器、媒体播放器等。
0.15μm
0.15微米工艺技术包括逻辑、混合信号，高压，BCD，并提供广泛的单元库和IP的支持。在0.15微米技术节点上可提供低成本的移动/消费应用和汽车和工业应用产品。
0.18μm
0.18微米为消费性、通讯和计算机等多种产品应用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳选择。此外，它也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供灵活性的解决方案及模拟。此工艺采用1P6M（铝）制程，特点是每平方毫米的多晶硅门电路集成度高达,门以及有1.8V、3.3V和5V三种不同电压，供客户选择。0.18微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、BCD、带电可擦除只读存储器以及OTP等。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。在0.18微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其它广泛的应用类产品。
0.25μm
0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率，适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V应用的混合信号/CMOS射频电路。该工艺可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。
,0.35μm
0.35微米制程技术包括逻辑电路，混合信号/CMOS射频电路、高压电路、BCD、EEPROM和OTP芯片。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。提供成本优化及通过验证的0.35微米工艺解决方案，可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。
特殊工艺
电源/模拟AnalogPower（0.35微米、0.18微米和0.15微米等）
技术简介：中芯国际的电源和模拟技术基于现有的低功耗逻辑平台可提供模块架构，为模拟和电源应用提供了较低的成本和优越的性能。该技术包括双极晶体管、高压LDMOS晶体管、精密模拟无源器件和eFuse/OTP/MTP非易失性存储器，同时提供有竞争力的Rds(on)功率器件。中芯国际的8寸厂拥有世界级的缺陷管控，可和全球的合作伙伴一起提供完整的一站式服务。这些技术已经主要集中在0.35微米、0.18微米和0.15微米等技术节点上，并具有业界领先的模拟和功率器件。应用产品：该技术的目标是具有成本效益的智能手机、平板电脑及消费电子产品，如电池管理，DC-DC，AC-DC，PMIC，快速充电器，电机控制器，以及汽车和工业应用。
高压工艺平台用于显示面板驱动IC(DDIC)（0.3微米、0.16微米、0.15微米、95纳米、55纳米、40纳米）
技术简介：驱动IC是控制液晶面板及AMOLED面板开关及显示方式的集成电路芯片。随着面板显示分辨率及数据传输速度的提高，其对驱动芯片的要求也不断提高。中芯国际持续开发更先进的高压工艺平台，包含大尺寸及中小尺寸面板IC,并提供具竞争力的SRAM单元尺寸，以满足客户多方面的设计要求。中芯国际提供95纳米高压平台，该平台的技术性能优越，具备超低功耗的特性来支持可穿戴式设备的应用，具备eNVM来支持in-cell面板的技术，可广泛应用于面板驱动，in-cell面板及AMOLED面板等。应用产品：中芯国际高压工艺为计算机和消费类电子产品以及无线通讯LCD/AMOLED显示面板驱动等广泛应用领域提供一个经济有效的平台。
绝缘栅双极型晶体管IGBT（V~V）
技术简介：IGBT是一种新型电力半导体器件的平台性器件，具有高输入阻抗，低导通压降，驱动电路简单，开关速度快，电流密度大等优点。中芯集成电路制造（绍兴）有限公司是中芯国际的合资公司。IGBT平台从年开始建立，着眼于最新一代场截止型（FieldStop）IGBT结构，采用业界最先进及主流的背面加工工艺，包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽（DeepTrench）+薄片（ThinWafer）+场截止（Field-Stop）技术工艺的自主研发，并相应推出V~V等器件工艺，技术参数可达到业界领先水平。应用产品：可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。
嵌入式非挥发性记忆体平台助力智能卡和微处理器应用eNVM（0.35微米到40纳米）
技术简介：中芯国际拥有公认的制造能力，可以提供具有成本竞争力的嵌入式非挥发性记忆体平台，包括一次性可编程技术,多次性可编程技术,嵌入式电可擦除只读存储器技术和嵌入式闪存技术。技术节点覆盖从0.35微米到40纳米。这些嵌入式非挥发性存储技术提供高性能，低功耗与卓越的耐久性和资料保存性能。应用产品：中芯国际提供了完整的嵌入式非挥发性存储技术与广泛IP支持，可应用于智能卡、微处理器和物联网应用。这些工艺可提供客户制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的产品，和更具经济效益的解决方案。
非易失性存储器NVM（38纳米以及24纳米闪存技术，从0.18微米到65纳米的ETOXNOR闪存技术解决方案）
技术简介：中芯国际拥有公认的制造能力，可以提供具有成本竞争力的38纳米以及24纳米闪存技术。中芯国际还提供了从0.18微米到65纳米的ETOXNOR闪存技术解决方案。这些工艺可提供客户制造出具有低成本效益，低功耗，高可靠性和耐久性的产品。应用产品：通信与数据处理：记忆卡和USB棒，手机，移动设备…消费电子：STB/OTT，MP3，可穿戴设备，玩具和游戏，数字电视…工业电子：监控、智能仪表、自动化和机器人…
混合信号/射频工艺技术MixedSignalRF（28纳米,40纳米,65/55纳米,90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米）
技术简介：中芯国际提供与逻辑工艺兼容的混合信号/射频工艺技术，通过与国际领先EDA工具供应商的合作，中芯国际提供精确的RFSPICE模型和完整的PDK工具包，涵盖从0.18微米工艺到28纳米PolySiON工艺。应用产品：这一系列工艺技术用于射频和无线互联芯片制造并被广泛应用于消费电子，通信，计算机以及物联网等市场领域。
MEMS传感器（MEMS麦克风，惯性传感器）
技术简介：中芯国际的MEMS方案主要集中在两大主流应用领域：第一种为开放式结构，例如MEMS麦克风，目前已经进入量产；第二种为封闭式结构，例如惯性传感器，于年第二季度进入量产。应用产品：硅麦克风、加速度计、陀螺仪、压力传感器、显微镜、超声波传感器、射频器件。
物联网应用平台IoTSolutions（0.18微米到28纳米）
技术简介：通过不断优化成熟工艺平台，中芯国际提供完整的一站式物联网（InternetofThings,IoT）工艺、制造和芯片设计服务，并携手集成电路生态链合作伙伴，为设计公司生产物联网智能硬件相关芯片产品，用于智能家居、能源、安防、工业机器人、可穿戴式设备、汽车、交通、物流、环境、智能农业、健康监护及医疗等多个领域。作为中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，中芯国际能够提供专业、安全、完整的本土化服务，帮助设计公司缩短入市时间，降低成本，在蓬勃发展的物联网市场中占据有利地位。物联网基础技术平台：超低功耗+射频+嵌入式闪存物联网产品通常具有功能多样性以及快速的上市响应等特点，产品结构以传感、微处理、存储、互联为主，注重微小体积和超低功耗。中芯国际提供0.18微米到28纳米的低功耗逻辑及射频工艺，结合嵌入式闪存，设计公司可在智能家居、可穿戴式设备、智慧城市等各类物联网产品上优化安全性能和成本结构。（1）超低功耗逻辑及射频技术平台95ULP-中芯国际推出了95超低功耗技术平台。在8英寸工艺平台提供业界最高密度最小面积的SRAM，具备极低的漏电流、功耗和寄生电容。55ULP-在12英寸工艺平台上,中芯国际同时提供55超低功耗技术。以95ULP和55ULP为主要超低功耗技术节点，通过进一步降低产品操作电压、工艺器件优化和IP设计优化，极大减低产品的动态功耗和静态功耗，延长系统待机时间和使用效率。（2）低漏电嵌入式闪存平台中芯国际提供0.13微米和55纳米低漏电嵌入式闪存(embeddedFlash)工艺进一步整合内置存储器。采用中芯国际55纳米低功耗嵌入式闪存技术的智能卡芯片已成功进入稳定量产。（3）全面的物联网生态系统除了自身的工艺技术平台以外，中芯国际还积极创建全面的物联网IP/Subsystem生态系统。通过与国内外众多IP合作伙伴建立的良好合作关系，中芯国际可在射频、基带、嵌入式闪存、CPU和DSPIP核、基础单元库IP、电源管理类IP、信息安全类IP和模拟接口类IP等方面提供完备的、高质量的IP和设计服务，并面向新应用提供语音、图像处理、低功耗广域连接等类型的生态系统。
汽车电子Automotive（0.18微米到40纳米）
技术简介：中芯国际依据IATF质量管理体系标准以及AEC-Q测试要求对汽车电子芯片进行严格的质量管控与可靠性验证，通过持续的工艺改良实现品质卓越及生产零缺陷的目标，并多次通过国际知名汽车客户基于VDA6.3要求的审核且获得认可。应用领域：中芯国际致力于为客户提供汽车电子三大领域里最优质、最可靠的工艺平台。
2、华虹宏力
2
华虹宏力
嵌入式非易失性存储器
0.25μm~0.13μmeFlash工艺平台
华虹宏力拥有两套嵌入式非易失性闪存存储器工艺平台：其一为自对准浮栅闪存技术的工艺平台，涵盖0.25μm、0.18μm、0.13μm。其二为0.13μm的SONOS工艺平台，提供业界最具竞争力的闪存IP，具备高可靠性，可重复擦写30万次以上，数据保持大于年。此两套工艺平台均经过大规模量产验证，可以定制各种高速，低功耗以及低成本解决方案的IP，针对触控需求，华虹宏力提供创新的单芯片高压解决方案—0.13μm-32V工艺平台。该工艺基于成熟的0.13μm嵌入式闪存平台，集成了HVCMOS（32V）器件，兼容原平台上各种容量的嵌入式闪存/EEPROM，SRAM，完整的模拟IP，高性能的IO库和低功耗数字单元库，目前，该平台在热点触控类应用领域得到了广泛的认可，超过上万片出货。
0.35μm~90nmeEEPROM工艺平台
华虹宏力拥有三套嵌入式电可擦只读存储器工艺平台：其一为自对准浮栅技术的工艺平台，涵盖0.13μm、90nm；其二为0.13μm的SONOS工艺平台；其三为前道0.5μm、后道0.35μm/0.25μm的浮栅工艺平台；作为领先的智能卡芯片代工提供商，华虹宏力的代工产品涵盖电信卡、U-key、社保卡、身份证卡、银行卡以及众多安全芯片。
0.5μm~0.11μmeOTP/eMTP工艺平台
为客户提供最完整和最高性价比的8位MCU的代工方案：5V与3.3V单电压工艺平台提供高性价比解决方案，广泛用于电池、小家电，玩具，遥控器等各类MCU，完整的IP组合与经验丰富的设计团队，助力客户快速切入高性能、低功耗MCU领域。
逻辑与混合信号
90nm低漏电逻辑与混合信号工艺平台
在趋近于业界通用90nm的物理尺寸上延续1.5V低漏电技术，支持最多七层铝互联层，搭配高密度工艺库，为低功耗设计提供更为经济的解决方案，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容。
0.13μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台
支持最多七层铝互联层，提供1.2V通用工艺和1.5V、1.8V低漏电工艺，并搭配高密度工艺库，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容。
0.18μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台
支持最多六层金属互联层，提供1.8V通用工艺和1.8V低漏电工艺，并搭配高密度工艺库，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，提供广泛的IP支持，包括OTP/MTP、常用的模拟IP及接口IP
0.5μm5V与0.18μm3.3V，5V混合信号工艺平台
支持最多四层金属互联层极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，厚顶层金属电感和OTP/MTP等
射频
0.13μm/0.18μmSiGeBipolar/BiCMOS工艺平台
采用创新的HBT结构，提供了性能和成本的完美结合，已申请超过项发明专利，提供丰富工艺选项、杰出的性能，并以持续不断的技术开发来更灵活地支持客户产品设计，提供精准的模型和完整的设计工具套件，可根据客户需要提供定制服务，以增强客户竞争力。
0.13μmRFCMOS工艺平台
与0.13μm通用逻辑工艺平台完全兼容，支持最多七层铝互联层，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，变容二极管，厚顶层金属电感，提供完全可扩展参数的设计工具套件。
0.18μmRFCMOS工艺平台
与0.18μm通用逻辑工艺平台完全兼容，支持最多六层金属互联层，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，变容二极管，厚顶层金属电感，提供完全可扩展参数的设计工具套件。
0.2μmSOIRFCMOS工艺平台
专为无线射频前端开关应用优化定制，提供2.5V器件，具有更低的开关插入损耗、更高的隔离度和更好的线性度，提供针对射频性能和芯片面积同时进行优化的便利的设计工具(PDK)，提供PSPmodel。
电源管理IC
0.35μmBCD工艺平台(BCDG/BCDGE)
基于0.35μm5VCMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS可同时支持5V与12V的Vgs，且Vds最高可达40V，支持最多四层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，低温度系数多晶硅电阻，MIP电容，肖特基二极管，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP等提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件，BCDGE在原有量产的BCDG工艺基础上，进一步降低了LDMOS的比导通电阻，减少了光罩层数。
0.18μmBCD工艺平台(BCDG)
基于0.18μm1.8V/5V标准CMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS支持5VVgs与最高可达40V的Vds支持最多六层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，MIM电容，肖特基二极管，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP/MTP等，提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件。
0.35μmCDMOS工艺平台(PMUG)
基于0.35μm3.3V/5VCMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS支持5VVgs与最高可达40V的Vds支持最多四层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，低温度系数多晶硅电阻，MIP电容，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP等，提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件。
0.13μmCDMOS工艺平台
基于0.13μm1.8V/5VCMOS工艺，提供可同时支持5V与12VVgs的LDMOS，且Vds最高可达40V，支持最多五层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，MIM电容，高压BJT，齐纳二极管，厚顶层金属等，提供高可靠性的eFlash/eEEPROM，其数据保存能力超过10年，擦写能力可达20万次以上，极具竞争力的比导通电阻有助于缩减芯片面积，提供完整的工艺库，完全可扩展参数的设计工具套件，以及模拟IP与接口IP。
1μmVCDMOS工艺平台(BCDV)
6VCMOS，6V栅电压提供40V到V的LDMOS，集成的VMOSFET具有业界领先的比导通电阻，有助于缩减芯片面积，提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件，便于客户根据需要进行版图设计，缩短设计周期，另外提供高压JFET，高值多晶硅电阻，电容，齐纳二极管等多种选项，方便客户灵活设计。
0.8μm5V/40VHVCMOS工艺平台
5V和40V栅电压提供5VCMOS和40V的对称与非对称结构HVCMOS，可选择的隔离30VNMOSFET可用于桥式驱动提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件，便于客户缩短设计周期，另外提供高值多晶硅电阻，MIP电容，齐纳二极管，多晶熔断等多种选项，方便客户灵活设计，数万片的稳定出货量。广泛用于显示屏的源驱动，开关电源的PWM和PFC控制器，LED照明驱动IC。
0.5μm/0.35μm5VCMOS工艺平台(CZ6H+/CZ6L+)与0.35μm7VCMOS工艺平台(CZ6-7V)
CZ6H+/CZ6L+是华虹宏力最成熟的模拟工艺平台之一，有超过10年的量产经验，拥有大量经过真实产品验证过的成熟IP。它延续了逻辑器件的成熟稳定特性，并提供多种可供模拟电路设计的器件选择，CZ6-7V是华虹宏力面向7V工作电压而推出的另一模拟工艺平台，主要目标产品应用包括低中压的音频功放和LDO、DC/DC等电源管理芯片。
0.18μm5VCMOS工艺平台
支持最多四层金属互联层，极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，厚顶层金属电感和OTP/MTP等。
功率器件
TrenchHVMOSFET
基于华虹宏力在过去累积的LVMOSFET经验，华虹宏力成功开发了沟槽类型的VMOSFET，并进入量产。华虹宏力创造性地将沟槽应用到V的MOSFET上，与常规的平面型MOSFET相比，可以有效地降低开启电阻10%以上，该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。工作电压范围V~V提供厚度低至60um的薄片技术提供可用于直接焊接的背金根据产品特性需求，提供客户定制化服务
超级结MOSFET
基于华虹宏力在过去累积的MOSFET的经验，华虹宏力成功开发了超级结结构的-VMOSFET，并进入生产。华虹宏力的超级结技术采用独特的工艺，可以达到优于业界水平的性能和指标。该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。
IGBT
依托于华虹宏力在MOSFET和SuperJunction方面累积的丰富的经验，华虹宏力与客户合作成功开发了基于沟槽结构的V-V非穿通型和场截止型IGBT。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机、机车拖动、智能电网以及包括风电和太阳能等新能源应用。V非穿通型和轻穿通型IGBTV~V场截止型IGBT针对变频家电应用1V~V场截止型IGBT(开发中)，瞄准业界高端工业及能源市场应用
汽车电子
0.13μm嵌入式闪存－信息娱乐系统
0.25μm嵌入式闪存－引擎及安全气囊控制
0.18μm嵌入式闪存－车用收音机及导航
0.35μmSONOS闪存－信息娱乐系统
0.35μmEEPROM-车载动力/引擎数据等存储
0.15μm逻辑－语音系统
功率器件－油泵系统、AC/DC转换器
V/V/VIGBT－电动汽车逆变器
深沟槽超级结－AC/DC转换器
3、华立微电子（HLMC）
3
华立微电子（HLMC）
逻辑工艺
65/55纳米
40纳米
28纳米
22纳米
特殊工艺
图像传感器工艺
55纳米
射频工艺
55纳米/40纳米/28纳米
高压工艺
55纳米/28纳米
超低功耗工艺
55纳米至22纳米
嵌入式非易失性存储器工艺
55纳米
独立式非易失性闪存工艺
65/55纳米
IP
基础IP：标准单元库（StandardCellLibrary）、静态存储器编译器（MemoryCompiler）、一次性可编程单元（OTP）、电熔丝（efuse）、I/O库；
模拟/混合信号IP：ADC、BG、DAC、LDO、OSC、PLL、POR等；
高速接口/物理层IP：USB、DDR、LPDDR、MIPI、LVDS、PCIe、Serdes等物理层IP（PHY）；
特色类IP：eFlashMacro；
定制类IP：SRAMinstance、各种特定需求StandardCellLibrary
4、华润上华（CSMC）
4
华润上华（CSMC）
StandardAnalog
0.25μm5VSalicideAnalog
公司提供0.25umS/A5VCMOS工艺，采用STI前端、0.25um后端和Salicide工艺。本平台具有更小的器件尺寸，更低的导通电阻，更稳定的器件可靠性以及极具竞争力的光刻层次。为LDO、数字音频功放、接口控制芯片等提供了优秀的解决方案。
0.35um3V/5VMS
MM是公司的标准数模混合工艺平台。0.35微米栅长,双层多晶，四层金属.应用于模拟方面的工艺，提供两种工作电压，MOS晶体管，隔离晶体管，PIP电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.35微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。
0.5μm/0.35μm5VMixed-Signal7VLDOplatform
0.5/0.35um是公司的标准数模混合工艺平台。0.5微米栅长，0.35微米工艺后段，双层多晶，四层金属，应用于模拟方面的工艺，提供5VMOS晶体管，隔离晶体管，ONO电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.5微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。
PowerIC
0.18umABs-BCDG1(7V-24V)
公司提供的0.18umAnalogBCD体硅（非外延）工艺，拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，为DC-DCConvertor、电源管理IC、手机背光驱动、快充等应用提供了很好的解决方案。
0.25μms-BCDG2(12V-60V)
公司提供成熟量产的0.25μms-BCDG2(12V-60V)工艺拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，并提供独有的厚栅氧HV器件，为马达驱动、AC-DC/DC-DCConvertor、电源管理IC、快充等应用提供了很好的解决方案。
0.8μmVBCDG3S
0.8μmVBCDG3S是公司的标准高压工艺平台之一，是以较经济的光刻层数实现V高压工艺，特别合适离线式电源（AC/DC）和LED驱动产品设计，特征为0.8μm前端/0.5μm后端，单层多晶，双层金属，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、40V中压CMOS器件、VLDMOS、VHV耗尽管、VJFET器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。
1μmVHVIC
公司提供的1μmVHVIC高压浮栅工艺，拥有V/V两个档位的NLDMOS/高压隔离岛。公司的高压互联自屏蔽技术荣获两项发明专利。为电机驱动、白色家电（IPM模块）、大功率LLC、无人机等应用提供了很好的解决方案。
Mixed-Signal/RF
0.11Ultra-lowLeakage
公司0.11ULL采用了铝互连技术，1P8M架构，提供1.5V内核器件及3.3V输入输出器件，具备超低漏电特点，器件特征Ioff(pA/um)0.5。
0.11ULLflash
公司0.11ULLflash工艺是基于0.11ULL工艺嵌入flash,逻辑器件与ULL兼容。提供超低功耗模拟IP。
0.μmCMOSEN(5V)
公司提供的0.μmCMOSEN(5V)工艺拥有具成本效益的光刻层数和紧凑的设计规则，为便携式设备电源管理、LED驱动和音频PA等应用提供了很好的解决方案。
0.18μm/0.16μm/0.μm1.8V/3.3VG0.18μm/0.16μm/0.μm1.8V/5VG
公司0.18um工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。0.18um逻辑工艺可提供1.8V电压coredevice、3.3V或者5V电压IOdevice，并同时提供NativeVT、MediumlowVT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。Shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。公司0.um工艺是0.18um90%Shrunk工艺,公司0.um工艺是0.18um85%Shrunk工艺。公司0.18um工艺提供OTP/MTP工艺，OTP/MTP工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。
0.18μmCMOSEN(3.3Vor5V)
公司提供的0.18μmCMOSEN(3.3Vor5V)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，为DC-DC、LED屏驱动、音频功放、MCU等应用提供了很好的解决方案。
0.18μme-Flash
公司提供的0.18μme-Flash工艺兼容0.18umlogic工艺，提供业界具有竞争力的闪存IP，高可靠性，低功耗和低成本，为智能卡、各类屏接触控制、MCU等应用提供了很好的解决方案。
PowerDiscrete
0.4μm60V-V8"N/P-chDMOS
中压的TrenchDMOS工艺平台成功量产，较低的导通电阻和较强雪崩能力，拓展了在电动工具、电动车、车载电器、太阳能逆变器、UPS、马达驱动上的应用。
0.35um20-30V8"N/P-chDMOS0.2um20-40V8"N-chDMOS
20~40V是公司的标准TrenchDMOS工艺平台，主要应用于DC-DCSMPS电源管理，具有高密度和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。
NormalPlanar
50~V是公司的标准PlanarDMOS工艺平台，主要应用于AC-DCSMPS电源管理，具有高效率和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。
30V-45VSGTDMOS
新近开发成功的30V-45V的分立栅槽技术，采用电荷耦合的技术，极大地提升了单位面积的电流密度，提升Rsp水平，减少栅极电荷。在快充和高效的同步整流中有广泛的应用。
5、上海先进半导体（ASMC)/上海积塔半导体
略（暂没查到）
6、和舰科技
7、三安光电
7
三安光电
晶圆代工制程
制程系列
主要用途
HBT(砷化镓异质结双极型晶体管)
H20HL(高线性制程)
手机，无线宽带功率放大器
手机，无线宽带低杂讯放大器增益器
H20HR(高韧性制程)
通讯信号切换器
通讯微波器件
pHEMT(砷化镓伪型态高电子迁移率晶体管)
P25ED(增强/耗尽混合型)
增益器
P25PA(功率型)
通讯信号切换器
P25SW(低启动阻抗型)
通讯微波器件
SiCSBD/MPS(碳化硅肖特基二极管）
快速回复肖特基二极管
绿能节能器件：
消费电子产品的电源转换/反向器
GaNFET（氮化镓场效应晶体管）
耗尽型场效应三极管
汽车/交通工具使用电源转换/反向器
增强型场效应三极管
工业用大功率电源转换/反向器
VCSEL
垂直腔面发射激光器
传感器/3D人脸识别/HDMI
8、中科渝芯（非主流）
8
中科渝芯
CMOS
1.CM06，0.6μmAnalogCMOS
CM06工艺是中科渝芯高低压兼容模拟CMOS工艺平台。特别适合混合信号电路应用,如电源管理(AC-DC/DC-DC)和LED驱动等相关产品设计，工艺平台特征为0.6微米、双多晶、双栅氧、三层金属布线，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS，15V/25V/40V/60VLDMOS及其他高压CMOS器件，多晶高阻电阻(Poly-Resistance)，高压三极管(BJT)，电容(Capacitance)等。CM06工艺平台提供详尽的设计规则、准确高溫模型、数字和模拟的标准单元库、IP和设计包支持主要的EDA软件工具。工艺特征：双层多晶，3层金属布线；双栅氧（A/A）低温度系数多晶电阻，高精度PIP线性电容。多晶高阻3.5K；15V/25V/40V/60V高压MOS晶体管；典型应用：DC-DC转换电路；电源管理电路；低功耗数模混合电路；高精度数模混合电路；
2.CM30(3μmCMOS)
CM30工艺是中科渝芯3μm10V/25V模拟CMOS工艺平台之一，具有较好的KFZ性能，主要适用于驱动器、接口电路。工艺平台提供标准10VNMOS/PMOS管，25V高压对称型MOS管等有源器件，以及高低值掺杂电阻及低温度系数的铬硅电阻。单双层布线工艺可选。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特征：采用N型衬底P阱工艺，全流程19层光罩,19次光刻，最少光刻10次光刻;高低压器件兼容;单多晶、双铝布线工艺;高阻、铬硅电阻、顶层铝可选。典型应用：(1)电源管理(2)驱动器
3.CM80(8μmCMOS)
CM80工艺是中科渝芯8μm15V/33V模拟CMOS工艺平台之一，具有较好的KFZ性能，主要适用于驱动器、接口、高压AD/DA电路。工艺平台提供标准低压15VNMOS/PMOS管，高压33V对称型MOS管等有源器件，以及高低值掺杂电阻及低温度系数的铬硅电阻。单双层布线工艺可选。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特征：采用N型外延P阱工艺，全流程18层光罩,18次光刻，最少光刻10次光刻;单多晶、双铝布线工艺;高阻、铬硅电阻、顶层铝可选。典型应用：(1)电源管理(2)驱动器(3)高压数模转换器
BCD
1.BD10，1.0μm40VBCD
BD10工艺是中科渝芯BCD工艺平台之一。工艺平台提供双极晶体管，常规及隔离5VCMOS，40V高压CMOS器件以及多晶高阻和齐纳二极管等器件，应用于数模混合的高压产品。为了节省芯片面积，工艺提供1.0μm前端0.5μm后端设计规则。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特征：1.0μm前端设计，0.5μm后端设计;外延隔离工艺；厚薄栅氧，单层多晶，双层金属布线；HVCMOS提供Vgs/Vds=5V/40V或Vgs/Vds=40V/40V器件；多晶高阻1K/2K/3K可选；多晶高阻、齐纳二极管可选，HVCMOS提供客制化需求；典型应用：(1)DC-DC转换电路；(2)电源管理电路；(3)锂电保护电路；(4)LED驱动电路；
2.BD10H，1.0μmVBCD
1.0μmVBCD是中科渝芯标准超高压工艺平台。工艺平台提供常规及隔离5VCMOS，40V中压CMOS，V/V/超高压LDMOS，VDep-MOS，VNJFET，双极型晶体管，多晶高阻和齐纳二极管等器件。可广泛应用于离线式电源转换芯片、LED照明驱动芯片类绿色单片智能功率集成电路产品。工艺特征：1.0μm前端设计，0.5μm后端设计;P外延隔离工艺；模块化工艺：5V低压CMOS模块，40V中压CMOS模块，V/V/高压DMOS模块；灵活的高压启动器件方案：VDep-MOS/VNJFET；可选器件：多晶高阻、齐纳管、客制化超高压LDMOSIP；顶层金属厚度可选；典型应用：(1)AC-DC转换电路(2)LED照明驱动电路
Bipolar
1.WP32，1μm32VLinearBipolar
WP32工艺是中科渝芯线性双极工艺平台之一。工艺平台提供标准32V高频NPN管、32VLPNP管、15V衬底PNP管，以及掺杂电阻、低温度系数多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等器件，双层布线。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：采用N型外延，PN结隔离工艺；17层光罩，17层光刻(其中包含高值电阻、齐纳、MIS电容、多晶电阻等可选)，最少为13层光刻层；高频NPN管fT≥1.2GHz；低温度系数多晶电阻≤ppm；采用PtSi孔接触；可选器件包含：注入高值电阻、齐纳二极管、MIS电容、多晶电阻等器件，以及其他特殊需求。典型应用：(1)电源管理电路(2)运算放大器电路
2.WP18，1μm18VLinearBipolar
WP18工艺是中科渝芯线性双极工艺平台之一。工艺平台提供标准18V高频NPN管、18VLPNP管、18V衬底PNP管，以及掺杂电阻、多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等可选器件，双层布线。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：(1)采用N型外延，PN结隔离工艺；(2)16层光罩，16层光刻层(其中包含高值电阻、齐纳、MIS电容、多晶电阻，双层布线等可选)，最少为11层光刻层；(3)高频NPN管fT≥4.5GHz；(4)可选器件包含：注入高值电阻、齐纳二极管、MIS电容、多晶电阻等器件，以及其他特殊需求。典型应用：(1)电源管理电路(2)运算放大器电路
3.WB18，2μm18VBipolar
WB18工艺是中科渝芯标准双极工艺平台之一。工艺平台提供标准PN结隔离的18VNPN管，18VLPNP管，18VSPNP管、18VVPNP管，以及掺杂电阻、齐纳二极管、高值氮化硅电容等可选器件，同时具备双层布线能力，可根据客户需求进行选择。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：(1)采用N型外延，PN结隔离工艺；(2)16层光罩，16层光刻层(其中包含掺杂电阻、SPNP管、高值MIS电容、双层布线等可选)，最少为8层光刻层；(3)可选器件包含：掺杂电阻、VPNP管、齐纳二极管，以及其他特殊需求。典型应用：(1)电源管理电路(2)常规运算放大器电路(3)LDO稳压器
4.WX40，2μm40VBi-FET
WX40工艺是中科渝芯高压双极-JFET兼容工艺平台之一。工艺平台提供40V高压NPN管，40V横向PNP管，40V隔离PNP管，40VP型JFET器件，以及注入高值电阻、多晶高阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层布线能力，可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：采用N型外延，PN结隔离工艺;(2)21层光罩，21层光刻层(其中包含N阱、高阻、N-基区、电容、多晶硅，双层布线等可选)，最少10层光刻层；(3)可选器件：注入高值电阻、多晶高阻、齐纳二极管、隔离PNP、PJFET器件，其他特殊需求。典型应用：(1)电源管理电路(2)各类运算放大器电路(3)LDO稳压器
5.WB70，4μm70VBipolar
WB70工艺是中科渝芯标准高压双极工艺平台之一。工艺平台提供70V高压NPN管，70V横向PNP管，以及注入高值电阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层布线能力，可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具工艺特性：(1)采用N型外延，PN结隔离工;(2)14层光罩，14层光刻层(其中包含高阻、电容、双层布线等可选)，最少为9层光刻层；(3)可选器件包含：注入高值电阻、齐纳二极管，其他特殊需求。典型应用：(1)电源管理电路(2)常规运算放大器电路
6.WB40，2μm40VBipolar
WB40工艺是中科渝芯标准高压双极工艺平台之一。工艺平台提供40V高压NPN管，40V横向PNP管，40V隔离PNP管以及注入高值电阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层金属布线能力，可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：(1)采用N型外延，PN结隔离工;(2)16层光罩，16层光刻层(其中包含高阻、悬浮PNP管、电容、双层布线等可选)，最少为9层光刻层；(3)注入高值电阻；(4)可选器件包含：注入高值电阻、隔离PNP管、齐纳二极管，其他特殊需求。典型应用：(1)电源管理电路(2)常规运算放大器电路(3)LDO稳压器
7.HC12，0.6μm12VPerformanceComplementaryBipolar
HC12工艺是中科渝芯高性能互补双极工艺平台之一。该工艺平台采用DPSA器件结构，提供12VVNPN、VPNP管，高值多晶电阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶电阻以及MIS、MIM氮化硅电容以及Schottky二极管等器件。提供双层或三层可选的布线工艺，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：(1)双多晶自对准工艺;(2)深槽介质隔离(3)模块化设计，29（或27）次光刻；(4)VNPN、VPNP管特征频率fT分别达到8.5GHz和8GHz典型应用：（1）高速（视频）放大器，ADSL驱动（2）DVD激光二极管驱动（3）高速逻辑电路
8.HX30，0.6μm30VPerformanceSOIComplementaryBipolar
HX30工艺是中科渝芯SOI高性能互补双极工艺平台之一。该工艺平台采用DPSA器件结构、SOI全介质隔离，提供30VVNPN、VPNP管，高值多晶电阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶电阻以及MIS、氮化硅电容以及Schottky二极管等器件。采用双层布线工艺，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：（1）双多晶自对准工艺;（2）SOI、深槽全介质隔离；（3）模块化设计，25（或23）次光刻；（4）VNPN、VPNP管特征频率fT达到4GHz；典型应用：（1）高速（视频）放大器，ADSL驱动（2）DVD激光二极管驱动（3）电缆调制解调器
9.WC40S(4μm40Vhigh-speedComplementaryBipolar)
WC40S(4μm40Vhigh-speedComplementaryBipolar)WC40S工艺是中科渝芯高压高速互补双极工艺平台。工艺平台提供标准40VNPN管、VPNP管，P型结型场效应晶体管，以及高/低值掺杂电阻、低温度系数多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等器件，双层布线。工艺平台详尽的设计规则，初步的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。工艺特性：采用SOI片制作：衬底材料:()P型硼掺杂电阻率:15-20ohm-cm器件层：（）p型硼掺杂电阻率：15-20ohm-cm厚度5+/-0.5um氧化层：厚度0.65+/-0.05um采用N型外延，介质隔离工艺；25层光罩，25层光刻(其中包含PJFET器件、高值电阻、MIS电容、多晶电阻、薄膜电阻、双层布线等可选)，最少为15层光刻层；高频NPN/PNP管fT≥0.4GHz；CrSi电阻温度系数≤50ppm；可选器件包含：注入高值电阻、MIS电容、多晶电阻、薄膜电阻、双层布线等器件。典型应用：(1)电源管理电路(2)放大器电路(3)驱动器电路(4)基准电路
分立器件
1.SBR
45V~60VSBR具有高频低功耗，低正向压降，高可靠性等优良特性，CSEC可提供45V~60V系列成熟稳定的工艺平台及产品。工艺特性：4/5层光刻，Al面/Ag面可选工艺;低正向压降;高温度稳定性;高可靠性;快速开关能力。典型应用：(1)通用整流器(2)高频开关电源(3)驱动电路(4)高频逆变器
2.PlanarSBD
45V～VPlanarSBD具有高频低功耗，高压大电流，低正向压降高可靠性等优良特性；CSEC可提供45V～V系列成熟稳定的工艺平台及高良率产品。工艺特性：Pt/NiPt势垒平面肖特基技术3层光刻，Al面/Ag面可选工艺高耐压、大电流高频率、低功耗高抗浪涌能力，高可靠性典型应用：通用整流器高频开关电源驱动电路高频逆变器
3.PlanarDMOS
～VPlanarDMOS具有导通电阻低，开关速度快，栅电荷小，雪崩能力好等优良特性；CSEC可提供～V系列成熟稳定的工艺平台及高良率产品。工艺特性：平面栅双扩散基本工艺6-7层光刻工艺低导通电阻，低栅电荷总量良好的雪崩特性典型应用：高频开关电源电子镇流器UPS
3.MOSSBD
45V～VMOSSBD具有低开启电压，低漏电流，高性能及低成本，可完全替代传统低压肖特基产品,CSEC具有此类产品自行设计研发能力。工艺特性：0.5umMOS肖特基技术4-5层光刻，Al面/Ag面可选工艺PN结和肖特基混合二极管高频率、低功耗典型应用：低压通用整流器快速电子充电器高频逆变器
4.FRD
～1VFRD具有正向压降低，开关速度快，反向恢复软等优良特性；CSEC可提供～V扩Pt工艺、V-1V辐照工艺系列成熟稳定的工艺平台及高良率产品。工艺特性：外延硅材料4-7层光刻工艺扩Pt工艺，辐照工艺开关速度快，恢复软典型应用：开关电源续流二极管IGBT模块
5.IGBT
IGBT集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,广泛应用在电力转换中，CSEC已具备V外延硅材料工艺产品的研发能力。工艺特性：外延硅材料，平面栅工艺V阻断电压饱和压降低开关速度快典型应用：电机驱动电磁炉电焊机变频器汽车电子
短工序加工
1、单片外延超薄(≤0.5um)外延、薄硅(≤2um)高阻(≥20Ω.cm)外延、多层外延、SiGe外延2、0.5~0.35um光刻能力NikonStepper能力满足0.35um线宽尺寸3、Pt加工Pt、Ni/Pt溅射、合金/退火工艺配备，具备功率整流器件制造，以及模拟集成电路功能的特别需求4、多样化的多层布线技术以PECVD、APCVD、SACVD、PVD、WCVD、CMP、Etchback为支撑的多样化多层布线技术；钨工艺及CMP设备，在0.5um的模拟集成电路领域具备最高四层金属布线能力5、背面及重金属能力(1)背面减薄、背面注入加工能力；(2)采用Sputter、Evaporation方式的Ag、Au为代表的背面金属加工技术(3)正面Ag、Au金属光刻、刻蚀工艺的能力配备6、金属加工技术(1)最高可达8um的AL，以及热AL加工能力(2)Chamber配置的单片AlSiCu、Ti、TiN金属加工工艺7、多种介质及设备工艺配备(1)基于VerticalFurnaceLPCVD工艺的TEOS、SiN、Poly加工(2)PECVDAPCVD工艺的PSG、BPSG、TEOS加工8、完备的生产在线监控检测仪器、设备SRP、CDSEM、Overlay、Defect、FTIR、剖面电镜、应力检测、注入剂量和硼磷含量监测、多种类型膜厚及电阻率监测等
参考：
红辣椒1个 大葱1根 生姜1块 大料适量 原料 香油6克 酱油6克 料酒大匙 精盐3克 白糖3克做法1.大葱洗净切段；红辣椒洗净切片；牛肚洗净，放入沸水中烫煮5分钟，捞出后刮除油脂；2.把牛肚、料酒、大料、葱段、姜块同放至开水中，煮至牛肚熟烂，待凉后切片装盘；3.食用前将红辣椒和剩下的葱切丝，撒在牛肚上，淋上调匀的酱油、盐、白糖、香油即可。注意爽滑脆嫩，浓香可口。牛肚不宜煮得过烂，有足够的韧性口感会更好。牛肚有补益脾胃，补气养血，补虚益精、消渴、风眩之功效，适宜于病后虚羸、气血不足、营养不良、脾胃薄弱之人。材料牛肚克，五香粉或卤料、盐、葱姜、料酒、酱油、糖适量。做法1、牛肚洗净焯水。2、锅内加2碗清水和卤料、盐、葱姜、料酒、糖放入压力锅。3、压力锅冒气后开小火焖煮15分钟。4、关火后等15分钟没压力时开锅，取出牛肚即可食用。5、如果想吃麻辣味的浇上辣油即可。相关五香牛肚五香牛（1）新鲜草鱼一条重约1千克左右，（2）葱段，姜丝，（3）料酒，白糖，辣椒粉，花椒粉，盐，酱油，（4）淀粉，菜籽油做法一、将草鱼洗干净后切成大约三厘米左右的轱辘状，放一个干净的盆内备用；二、将用料中的（2），（3）里的东西全部放入，用量依据个人口味适量，然后盖上盖子腌制5小时左右，三、取出盆子内的姜丝和葱段，放入一干净的小碗备用；四、锅内放入适量的菜籽油，烧至八成热时，将裹好淀粉的鱼块依次放入锅内，炸至两边金黄色时，取一干净的盘子装入备用；五、用锅里的余油将刚才小碗内的姜丝和葱段放入煸至经黄色时，倒入适量的开水，再依次放入鱼块，当汤汁收至快干时关火，出锅装盘即可。小诀窍洗鱼时在鱼身上倒上少量的醋，这样鱼鳞容易去掉，且鱼身不滑好洗；炸鱼之前一定要拌入少量的淀粉，这样就不会粘锅了。相关烧草鱼草鱼草鱼，葱，姜，辣椒，花椒做法1、鱼头、鱼尾切下。把鱼片成片，片好的鱼片用盐、料酒、姜米腌制15分钟。2、加工调料吧：葱切段。姜分两半，一半切丝，一半切片，丝是做炒料，片是与鱼同煮的。辣椒要红红的才有感觉滴，而且它很辣。3、将锅放火上加水放入鱼头尾、鱼皮、葱姜料酒煮熟后下入片好的鱼片。锅开即好。4、另用一锅，将小米椒、泡姜、泡缸豆、葱姜蒜、辣椒、花椒放入炒锅炒香，倒入鱼锅内即成。做好了，看看成品吧~相关水煮草鱼水煮鱼葱丝少许，姜丝少许，打算两瓣，蒸鱼豆豉2茶勺，油5ml，花椒少许，盐少许，料酒2茶勺做法1、先把鱼用料酒和盐腌制30分钟。2、水开后，上锅蒸8分钟。取出，把盘子里的水倒掉。3、加入葱姜丝，倒入蒸鱼豆豉。注意：一定要贴边倒，不要直接浇在鱼身上。上锅继续蒸5分钟。4、另起锅加油，烧热，加花椒少许。等花椒变黑后，关火。5、在蒸好的鱼身上撒少许香菜，然后把步骤（4）浇在上面就ok了。小诀窍1、蒸鱼豆豉不要直接浇在鱼身上。2、葱姜丝不要先放。大头的草鱼半边，香菇，鸡蛋，青豆，洋葱，番茄，姜，蒜，生抽，番茄酱，芝麻油，陈醋，淀粉，盐，糖做法1.番茄、香菇、洋葱切丝；姜蒜切片2.在草鱼表面切十字刀，放入生抽、淀粉、盐、半个鸡蛋液拌匀，腌制10分钟3.将鱼下油锅，炸成金黄色，捞起沥油4.锅里放少许油，将葱姜爆香5.放入番茄，小火炒到出汁6.放入洋葱、香菇、青豆，盐，略炒7.放一碗清水煮开（多放点）8.放适量的番茄酱、糖、陈醋煮开9.最后水淀粉勾芡。将汤汁淋在炸好的鱼上即可~~~色红亮，肉细嫩，味甜酸。材料主料：草鱼肉克，番茄酱50克。柠檬酸微量，绍酒10克，精盐2.5克，白糖20克，味精0.5克，鲜汤50克，熟菜油克。做法选新鲜草鱼肉片切成1厘米厚的片，与绍酒，精盐拌匀，柠檬酸用适量清水溶化。2、油锅烧六成热，下鱼肉炸至呈黄色时捞起。3、炒锅置中火上，下熟菜油50克烧至三成热，放入番茄酱炒香至油呈红色，又放入白糖，柠檬酸，鲜汤推匀，再放入鱼片裹匀茄汁，起锅盛盘。相关茄汁草鱼片茄汁主料：海鲈鱼一条（约2斤）调料：白糖、黄酒、酱油适量，葱切丝、蒜切末、姜切丁（因我家中鲜姜被吃光，故用姜粉）、植物油二两，少许盐做法1、鲈鱼挖腮、去鳞、掏脏、剪鳍，清洗几遍，控干水分。接着在鱼身两边斜割几道口子，目的在于入味。2、锅中置油，烧热后下入葱丝、蒜末，煸出香味，将鱼下锅两侧均匀煎，煎到金黄色，即关火。我家锅小，为了将这条鱼煎整，可真费劲了！3、鱼煎好后，锅中倒进黄酒、酱油、白糖、少许盐，冲入适量水，烧开后盖住锅盖，文火慢炖十几分钟。4、十几分钟后，旺火收汤，关火起锅，撒少量葱丝，这道菜就成了。小诀窍原本还应放豆豉酱，但我家小儿怕辣，只能弃之。如用豆豉酱，即不必放盐。黑鱼。姜。做法1、黑鱼去鳞和内脏，清洗干净后，顺着鱼骨片成大的鱼肉。再切成鱼片备用；2、锅里热油，放入姜擦锅。放入鱼头、鱼骨、鱼尾，小火慢煎，一面成型后再小心翻面煎另一面，这样就不会糊底；3、烹入足够的开水，放入葱姜，盖上锅盖，中小火熬汤；4、熬到鱼汤变白，放入鱼片，小心拨散，放入盐调味；5、烹入黄酒，撒些胡椒粉，等鱼片变白即可。相关鱼汤汤主料：黑鱼克，酸菜克，干辣椒10克，泡椒10只。调料：葱1根，姜1块，蛋清1个盐做法1.将鱼清理干净，切去头部，去除鱼骨，片成鱼片备用；2.鱼片中放入蛋清，少许淀粉，盐，黄酒,生抽腌制5分钟；3.锅中倒入少许油，放入花椒、葱段和姜片、干辣椒煸香后，倒入酸菜翻炒，炒熟后，加入少许盐调味；加入适量的水焖煮约20分钟,煮出酸辣味.4.打开锅盖,放入黑鱼片,轻轻涮一下即可.相关水煮酸辣黑鱼水煮主料：韩国辣白菜克，黑鱼一条，老豆腐克，年糕片克，茼蒿克，金针菇克，青红椒各50克；调料：韩国辣椒酱50克，大豆酱50克，白糖40克，味精10克，牛肉粉20克，盐20克，圆葱丝20克，蒜末10克。做法1：先做一锅辣白菜汤，锅做底油下入圆葱丝与韩国辣白菜同时煸炒出香，加水0克烧开，然后下入以上调料调味，小火烧十五分钟待辣白菜的味道与汤融和即成韩国泡菜汤。2：将泡菜汤盛入火锅内摆上老豆腐，年糕片，茼蒿金针菇与青红椒。3：将黑鱼去骨片成片，用少许盐味精和半个鸡蛋清将鱼掩一下，锅上火烧一锅开水将腌好的鱼下入烫至七成熟取出放在火锅内摆好即成。相关泡菜黑鱼火锅火锅黑鱼鲳鱼含有丰富的不饱和脂肪酸，有降低胆固醇的功效；含有丰富的微量元素硒和镁，对冠状动脉硬化等心血管疾病有预防作用，并能延缓机体衰老，预防癌症的发生。材料鲳鱼克，葱姜、油、盐、酱油、五香粉、鸡精、糖适量。做法1、鲳鱼整理干净。2、起锅热油爆香葱姜蒜，煎鱼2分钟。3、放酱油、料酒、糖和1碗水小火焖煮10分钟。4、放盐和鸡精即可。武昌鱼一条克左右，葱丝，姜丝，红椒丝做法1.将去了鳞鳃和内脏的鱼冲洗干净，在距鱼头一厘米处划开，轻轻拽出里面的腥线，注意两面都有哦2.两面分别划几刀，抹上盐和料酒，鱼腹里也要抹上，腌10分钟左右3.盘子底部撒点葱段、姜片，将鱼放进盘子里，鱼腹里和鱼身上面都撒上葱姜丝4.蒸锅里放适量清水，烧开后将鱼放进锅里蒸7-8分钟，然后关火再虚蒸2-3分钟5.取出鱼，拣去葱姜丝，另取一个盘子将鱼放进去，在鱼身上再撒上新切的葱丝、姜丝、红椒丝6.炒锅注少许油烧热，将蒸鱼盘里的蒸鱼汁倒进锅里，再放入适量蒸鱼豉油，烧开后均匀地浇在鱼身上即可美味可口的鱼类能让我们吃的营养又健康，因此在我们的餐桌上离不开鱼。而对于湖北人来说，武昌鱼是我们最常吃的鱼类一，价格实惠又新鲜。毛泽东有句很有名的诗词，“才饮长沙水，又食武昌鱼”，也让它全国闻名。当然不仅仅是因为这，还因为武昌鱼营养丰富，它富含胶原蛋白，能够增强身体活力修补人体细胞组织；还能滋补健胃、补气血、利水消肿、通乳、清热解毒等功效；它里面含有微量元素可以提高人体的免疫力，对增强体质很有好处。武昌鱼肉质细嫩、柔软，容易被消化，且味道鲜美。它的做法多多，红烧、清蒸。。。都很好吃，因此非常受大家欢迎。今天会用豆瓣酱来烧，就只仅仅多一味调味料，确让武昌鱼增味不少。要做好这烧鱼最关键就是煎鱼，鱼皮要煎的焦黄且鱼皮不破损。其实这是有小窍门的，锅底先用姜擦拭一遍，而鱼入锅前要控干水分；煎鱼时不要急于翻动，要小火慢慢煎，轻轻晃动锅，当鱼能跟着晃动时再翻面。只要掌握了这几点，对于不经常下厨的人来说也能煎出完整的鱼皮来。煸炒出豆瓣酱的香味，就可以放入煎好的武昌鱼，加水炖煮就行了。经过近十分钟的炖煮，满厨房都飘出香味，“豆瓣烧武昌鱼”就完成了。做法很家常，但油亮香浓，味厚鲜醇，色香味俱全，吃起来足够诱惑。1.先将鱼的上、下表面划上几道，加入盐、姜片和白酒帮助其入味与去腥；2.煎鱼时为了避免鱼皮煎破，可以用姜将锅底擦拭一遍；鱼入锅时要将表面水分吸干；煎鱼不要急于翻动，一定要等到晃动锅时鱼也能跟着动再翻面；3.我偷懒了，没有把鱼拿出来，直接在鱼边上煸炒了豆瓣酱；如果觉得不方便，还是将鱼拿出来，煸炒豆瓣酱后再将鱼下锅；4.加入适量的生抽和水，加盖炖煮鳊鱼，约五--八分钟，再加入少量的盐（豆瓣酱已经很咸了）开大火收汁，注意中间将鱼翻面一次，也要不停将汤汁浇在鱼的表面上，让鱼更入味。相关昌鱼豆瓣鱼主料：海鲈鱼一条（约2斤）调料：白糖、黄酒、酱油适量，葱切丝、蒜切末、姜切丁（因我家中鲜姜被吃光，故用姜粉）、植物油二两，少许盐做法1、鲈鱼挖腮、去鳞、掏脏、剪鳍，清洗几遍，控干水分。接着在鱼身两边斜割几道口子，目的在于入味。2、锅中置油，烧热后下入葱丝、蒜末，煸出香味，将鱼下锅两侧均匀煎，煎到金黄色，即关火。我家锅小，为了将这条鱼煎整，可真费劲了！3、鱼煎好后，锅中倒进黄酒、酱油、白糖、少许盐，冲入适量水，烧开后盖住锅盖，文火慢炖十几分钟。4、十几分钟后，旺火收汤，关火起锅，撒少量葱丝，这道菜就成了。小诀窍原本还应放豆豉酱，但我家小儿怕辣，只能弃之。如用豆豉酱，即不必放盐。已经到了无香料不欢的我，不管什么料理就是要有香草及香料，因为那决定你料理更上层楼的王牌。大茴香的的味道一般比较常出现在泰式料理，一般市场也少有，这道菜如果少了大茴香也没关系，可以用香菜或芹菜代替，风味会改变，但是美味不变。主料银鱼配料蛋清调料盐、鸡粉、胡椒粉、料酒、淀粉、花生油做法1．银鱼洗净，腌制入味。2．蛋清、淀粉调匀成糊。3．加银鱼拌匀。4．用热油将鱼炸熟装盘即可。小诀窍特点色泽淡黄，外脆里嫩，滋味鲜香。提示银鱼提前腌；挂糊时可加适量花生油。相关炸银鱼软炸银鱼软炸简单做菜还不能缺乏营养，蛋羹可以单独做，也可加肉糜。加了银鱼干，更鲜。懒人自有懒办法，看看，不喜欢做菜菜，就做个滑嫩的豆腐般的蛋羹，（还是日本豆腐捏）好吃不流汗。材料鸡蛋一枚，银鱼少许，水，香油做法1.鸡蛋打入适合的容器，加少许盐，用手动打蛋器打散。至鸡蛋稍变浅黄色。2.加入和鸡蛋液一样多的冷水，再次打均匀。将洗净的银鱼干放入蛋液中。3.蒙上保鲜薄膜，并用牙签戳上几个洞。4.将碗放入有水的锅中，隔水蒸7--8分钟。5.出锅后滴少许香油，即可。小诀窍1.蛋和水一定要一比一，将蛋液打至淡黄色也可。2.一定要加保鲜薄膜，并扎小眼儿。以防水蒸气滴入鸡蛋中，形成积水。3.火候的把握很重要，中火即可，不能用太大的火，避免急火后蛋羹变老。4.没有银鱼可以不放。放入银鱼的话，盐要少放。相关银鱼蛋羹蛋羹鱼蛋大虾葱姜糖做法1、大虾洗干净，剪掉须子和虾枪，背部剪开去掉沙线2、葱、姜都切成一寸左右细丝3、锅放油（比炒菜略微多一点），5成热时倒入大虾翻炒，马上倒入料酒（不要太多）、葱丝、姜丝、盐，继续翻炒，盖上盖子闷一下4、加入水，不要太多，没过大虾一点应该就可以了，继续烧，加一点糖，火可以稍微关小一些5、看到红色虾汁开始变浓稠了，点一点儿醋,注意别太多,这时候虾皮就会变得比较酥脆，再最后翻动几下。6、好了，可以出锅了，但是一定要注意保留一些汤汁，小孩子们都喜欢用虾肉蘸汤吃，回味无穷哦！海虾1斤，姜丝一小把（宜多不宜少），白糖2大匙，盐1小匙，番茄酱2大匙，橄榄油普通炒菜用量做法1、去除虾线。沿虾背脊剪开一条口子，取出虾线。将去除虾线的虾用水洗净，并将水沥干。2、姜切丝，备用。3、热锅凉油，待油八成热放入姜丝煸炒，爆出香味后倒入大虾煸炒，虾变红后加入盐和糖继续煸炒，盖锅盖焖一下，然后倒入适量番茄酱翻炒均匀就可以出锅了。小诀窍1、虾的水分一定要沥干，因为在煸炒时放过盐后虾会出一些水，如果之前不沥干炒出的菜品就会很水。2、姜丝可以稍微多放一些，即可以去除虾的腥气，也可以平衡虾的寒气。这种虾的做法最受欢迎，经过油爆后的大虾，吸收了蒜的香味，加之生抽激味，那个香气一瞬间就能让人倾倒。再加点白糖和水，稍微焖煮2分钟，虾身Q弹，汤汁甜美，将之拌饭，一盘虾连肉带汤，轻易间就消灭殆尽。材料大虾1斤，生抽2大匙，白糖1大匙，去皮蒜4瓣，水适量做法1.虾洗干净后，剪去虾枪，沥水待用。2.锅中入油，4分热后入大蒜瓣爆锅，至蒜瓣金黄色，倒入大虾爆炒半分钟，倒入生抽、白糖，炒匀后，倒入没及一半虾身的水，盖盖煮开后，再煮两分钟即可。小诀窍1、：鲜虾色青白，外皮光亮，虾壳坚硬，眼睛外凸，虾须硬挺．虾身完整，肉质坚实，味道腥鲜。千万不可购买掉头、缺尾、脱皮、体色发红，有异味的虾。那样的虾已经不新鲜了。如果买到，也只适合炸制。2、老抽颜色太深，不建议用。3、生抽已经有咸味，无需放盐。4、糖要多放点，下味重点才好吃。5、烹制这道菜，我不喜欢放姜，感觉姜的味道与虾的味道不相配。相关红烧大虾虾桂鱼、青椒、芝麻、陈醋、蒸鱼豉油、耗油、生粉、大蒜、葱姜、料酒、香油做法1、将桂鱼洗净，青椒洗净切圈备用；2、锅中倒油，加热后将桂鱼置入锅中，两面炸至微黄，乘出待用；3、锅中倒油，放入大蒜、葱姜、青椒爆炒；4、将桂鱼一起放入锅中，加入蒸鱼豉油、耗油、料酒加入少许水，小火收汁；汤汁浓稠后，加入少许陈醋；5、起锅后滴入少许香油。相关红烧桂鱼鱼梅干菜国人无人不晓无人不知，梅菜扣肉就是一道经典的江浙传统菜肴，倍受南北国人的喜爱。梅干菜最初多为居家自制，晾干菜叶、使其堆黄，然后加盐腌制，最后晒干装坛，但它还有芥菜干、油菜干、白菜干、雪里蕻干之别。成品梅干菜油光黄黑，香味扑鼻，解暑热，洁脏腑，消积食，治咳嗽，生津开胃。梅干菜与肉的绝配已经定格为百姓的经典，昨晚我们一家人在学到一盘新派本帮菜不要看着鱼肉雪白鲜嫩，蘸一点汤汁，已经很入味了，浓浓的梅干香，还有肉香的余味。上海人吃剩的梅干菜烧肉，拿来烧桂鱼，是新派的本帮菜，好吃，值得推荐。一、准备食材1、提前浸泡梅干菜估计2-3小时就可以，我是泡了一夜；2、豇豆折成段，半个食指长短即可，清洗干净，沸水焯一下待用；3、桂鱼去肚去鳞处理干净，身上划上几刀待用；4、五花肉切片，厚度1CM；二、开煮（先煮肉）1、热锅下五花肉干锅翻炒，撒少许盐，据说这样容易把五花肉的肥膘逼出油来；2、然后加1小勺的生抽上色，倒入泡好的梅干菜，加4勺糖加清水没过肉，大火开煮；3、煮开后，改小火慢炖半小时，倒入豇豆拌匀，继续小火焖煮半小时出锅；4、把肉和豇豆挑出来盛在盘里，余下的梅干菜留着准备烧鱼。三、梅干菜桂鱼1、鱼身上拍少许淀粉、面粉都可以，技术不过关的煎鱼就用干粉可以保持鱼身完好；2、热锅下适量油，将拍好干粉桂鱼下锅，两面煎一下；3、将1勺生抽均匀撒在鱼身上，再将煮好的梅干菜都倒入锅内；4、梅干菜刚好覆盖整鱼，再撒两勺糖，加少许清水，大火开煮；5、煮开后改小火，记着煮8-10分钟即可，不然桂鱼就老了。美食的魅力真是美不可言啊，朋友们你们学会了吗。
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